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      電化學(xué)作站/腐蝕測(cè)量?jī)x 型號(hào):DP-CS150

      更新時(shí)間:2019-03-27點(diǎn)擊次數(shù):2554

       電化學(xué)作站/腐蝕測(cè)量?jī)x 型號(hào):DP-CS150 

      DP-CS電化學(xué)作站采用浮地式,具有出色的穩(wěn)定性和度,的硬件和能善的軟件,為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等域的科作者提供了的科研平臺(tái)。
      具體應(yīng)用于:

      (1) 電合成、電沉積(電鍍)、陽(yáng)氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究;

      (2)電化學(xué)分析研究;

      (3)能源材料(鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和電容器等)、能材料以及傳感器的性能研究;

      (4)金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià);

      (5)緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。

      硬件特點(diǎn)

      ● 雙通道相關(guān)分析器和雙通道速16bit /度24bit AD轉(zhuǎn)換器

      ● 內(nèi)置FRA頻響分析儀,頻率范圍 10μHz ~1MHz

      ● 帶寬輸入阻抗的放大器

      ● 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器

      ● 率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)

      ● 電壓控制范圍:±10V,槽壓為±21V(可擴(kuò)展至±200V)

      ● 電流控制范圍:±2.0A(可擴(kuò)展至±5.0A)

      ● 電位分辨率:10μV,電流分辨率:10pA(可延伸至100fA)

      軟件特點(diǎn)

       


      ① 數(shù)據(jù)分析

      伏安曲線(xiàn)的平滑、積分和微分運(yùn)算,計(jì)算各氧化還原峰的峰、峰面積和峰電位等;

      化曲線(xiàn)的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析,計(jì)算Tafel斜率ba,bc,腐蝕電流密度icorr,限擴(kuò)散電流、化電阻Rp和腐蝕速率等,還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。

      ② 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)

      實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù),即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷,中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。

      ③ 定時(shí)測(cè)量

      測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量能, 對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí),可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間,讓儀器在無(wú)人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量,提實(shí)驗(yàn)效率。

       

      恒電位控制范圍:±10V

       恒電流控制范圍:±2.0A

       電位控制度:0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)±1mV

       電流控制度:0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)

       電位靈敏度:10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)

       電流靈敏度:<10pA

       電位上升時(shí)間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)

       電流量程:2A200nA, 8檔

       參比電輸入阻抗:1012Ω||20pF

       大輸出電流:2.0A

       槽壓輸出:±21V

       電流掃描增量:1mA @1A/mS

       CV和LSV掃描速度:0.01mV~10000V/s

       電位掃描電位增量:0.076mV @1V/mS

       CA和CC脈沖寬度:0.0001~65000s

       DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s

       SWV頻率:0.001~100KHz

       CV的小電位增量:0.075mV

       AD數(shù)據(jù)采集:16bit@1MHz20bit @1kHz

       電流與電位量程:自動(dòng)設(shè)置

       DA分辨率:16bit,建立時(shí)間:1μS

       低通濾波器 8段可編程

       通訊接口:USB2.0

       儀器重量:6.5Kg

       外形尺寸(cm):36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)

       

       

       信號(hào)發(fā)生器

       頻率響應(yīng):10μHz115KHz

       交流信號(hào)幅值:1mV2500mV

       頻率度:0.005%

       直流偏壓:-10V+10V

       DDS輸出阻抗:50Ω

       波形:正弦波,三角波,方波

       正弦波失真率:<1%

       掃描方式:對(duì)數(shù)/線(xiàn)性,增加/下降

       信號(hào)分析器

       大積分時(shí)間:106個(gè)循環(huán)或者105S

       測(cè)量時(shí)間延遲:0105

       小積分時(shí)間:10mS 或者個(gè)循環(huán)的長(zhǎng)時(shí)間

       

       直流偏置補(bǔ)償

       電位補(bǔ)償范圍:-10V+10V

       電流補(bǔ)償范圍:-1A+1A

       帶寬調(diào)整:自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置8級(jí)可調(diào)

       

       

      能方法

      DP-CS120

      DP-CS150

      DP-CS300

      DP-CS310

      DP-CS350

      DP-CS360

      穩(wěn)態(tài)化

       開(kāi)路電位測(cè)量(OCP)

          ●

       恒電位化(i-t曲線(xiàn))

       恒電流化

       

       動(dòng)電位掃描(TAFEL曲線(xiàn))

       動(dòng)電流掃描(DGP)

       

      暫態(tài)化

       意恒電位階梯波

       意恒電流階梯波

       

       恒電位階躍(VSTEP)

       恒電流階躍(ISTEP)

       

       快速電位脈沖

       

       

       

       

       

       快速電流脈沖

       

       

       

       

       

      計(jì)時(shí)分析

       計(jì)時(shí)電位法(CP)

       

       

       計(jì)時(shí)電流法(CA)

       

       

       計(jì)時(shí)電量法(CC)

       

       

      伏安分析

       線(xiàn)性?huà)呙璺卜ǎ↙SV)

       線(xiàn)性循環(huán)伏安法(CV)

       階梯循環(huán)伏安法(SCV)

       

       

       

       方波伏安法(SWV)

       

       

       

       差分脈沖伏安法(DPV)

       

       

       

       常規(guī)脈沖伏安法(NPV)

       

       

       

       常規(guī)差分脈沖伏安法(DNPV)

       

       

       

       交流伏安法(ACV)

       

       

       

       二次諧波交流伏安(SHACV)

       

       

       

      溶出伏安

       恒電位溶出伏安

       

       

       

       線(xiàn)性溶出伏安

       

       

       

       階梯溶出伏安

       

       

       

       方波溶出伏安

       

       

       

      交流阻抗

       電化學(xué)阻抗(EIS)~頻率掃描

       

       

       

       電化學(xué)阻抗(EIS)~時(shí)間掃描

       

       

       

       電化學(xué)阻抗(EIS)~電位掃描(Mott-Schottky曲線(xiàn))

       

       

       

      腐蝕測(cè)量

       循環(huán)化曲線(xiàn)(CPP)

       線(xiàn)性化曲線(xiàn)(LPR)

       電化學(xué)噪聲(EN)

       電偶腐蝕測(cè)量(ZRA)

       氫擴(kuò)散測(cè)試(HDT)*

      電池測(cè)量

       電池充放電測(cè)試

       

       恒電流充放電

       

      光電測(cè)量

       電致調(diào)光測(cè)量 *

       

       

       

       

       光譜儀測(cè)量 *

       

       

       

       

      擴(kuò)展測(cè)量

       盤(pán)環(huán)電測(cè)試 *

       

       

       數(shù)字記錄儀

       波形發(fā)生器

       

       

       圓盤(pán)電機(jī)控制

       

       

       

      注: * 氫擴(kuò)散及旋轉(zhuǎn)盤(pán)環(huán)電測(cè)試需配置DP-CS1001A恒流源或采用DP-CS2350雙恒電位儀。

      * 光電測(cè)量能用戶(hù)選配。

      * 產(chǎn)品3年質(zhì)保。

       

      儀器配置:

      1)儀器主機(jī)1臺(tái)

      2)測(cè)試與分析軟件1套

      3)電解池(含鹽橋和排氣管)1套

      4)輔助、參比、作電各1支

      5)模擬電解池1個(gè)

      6)電源線(xiàn)/USB數(shù)據(jù)線(xiàn)各1條

      7)電電纜線(xiàn)1條

      8)電架(選配 *)

      9)屏蔽箱(選配 *)

      10)電腦(選配 *)  

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